NAND Flash vs NOR Flash
Flash-minne är en av de vanligaste icke-flyktiga halvledarminnetyperna i de moderna datorsystemen och i ett brett utbud av mobila enheter och konsumentenheter. NAND-blixt och NOR-blixt är de dominerande formerna av blixtteknik. Flashminne-teknik är en förlängning från EEPROM och NAND / NOR står för gate-arkitekturen som används för att konstruera minnesenheterna.
Vad är NAND Flash?
Flash-chipsen är uppdelade i raderingssegment som kallas block och data lagras i dessa raderingsblock. I NAND-flasharkitekturen är dessa block anslutna i följd. Storlekarna på raderingsblocken är 8 kB till 32 kB, vilket är mindre, vilket möjliggör ökade läs-, skriv- och raderhastigheter. Dessutom är NAND-enheter anslutna med ett komplicerat seriekopplat gränssnitt och gränssnittet kan variera från tillverkare till tillverkare. I allmänhet används åtta stift för att förmedla, kontrollera och hämta datainformation. I ett enda ögonblick används alla de åtta stiften, vilket vanligtvis överför data i 512 kB-skurar.
Strukturellt NAND-arkitektur är utformad för optimerad högdensitetslitografi som en avvägning mellan slumpmässig åtkomst till mindre blockstorlek. Detta gör NAND-flashminnet billigare när det gäller kostnad per volym. I teorin är NAND-blixtens densitet dubbelt så stor som NOR-blixt.
NAND-flash är lämpligt för datalagring. PC-kort, compact flash, SD-kort och MP3-spelare använder NAND-flashenheter som minne.
Vad är NOR Flash?
NOR-flashminnet är det äldsta av de två flashminnetyperna. I den interna kretskonfigurationen för NOR-flash är de enskilda minnescellerna anslutna parallellt; därför kan data nås i slumpmässig ordning. På grund av denna funktion för slumpmässig åtkomst har NOR mycket korta lästider när information hämtas för körning. NOR-typ blixt är tillförlitlig och orsakar mindre vändningsproblem.
Raderingsblockens densitet i NOR-blixt är lägre än NAND-arkitekturen. Därför är kostnaden per volym högre. Den förbrukar också högre energinivå i beredskap, men under drift förbrukar den relativt lägre energinivå jämfört med NAND-blixt. Skrivhastigheten och raderingshastigheten är också låga. Men kodkörningen med NOR flash är mycket högre på grund av den inbyggda random access-arkitekturen.
NOR-blixt används för kodlagring i enheter, till exempel kodlagringsenheten för digitalkameror och andra inbäddade applikationer.
Vad är skillnaden mellan NAND Flash och NOR Flash?
• NOR-blixt är äldre än NAND-blixtarkitekturen.
• NAND-blixt har en mycket högre rensningsdensitet än NOR-blixt.
• I NAND-blixtarkitekturen kopplas raderingsblocken i följd medan de i NOR-blixt är anslutna parallellt.
• Åtkomsttyp för NAND är sekventiell medan NOR har slumpmässig åtkomst.
• Därför är läshastigheten för NOR snabbare än NAND.
• NOR-blixt har mycket långsam raderingshastighet jämfört med NAND-blixt, och skrivhastigheten för NOR är också långsam.
• NAND kan gå igenom 100.000-1.000.000 radera cykler medan NOR endast kan upprätthålla cirka 10.000-100.000 cykler.
• NOR-blixt är mer tillförlitlig och har mindre andel bitbyte, medan NAND-blinkar kräver en tilläggsbit för felhantering.
• NAND-blixtar är lämpliga för datalagring medan NOR-blixtar är lämpliga för kodlagring.
• NAND-flashminne är billigare jämfört med NOR-flashminnen när det gäller kostnad per volym.
Relaterade inlägg:
1. Skillnad mellan Flash Drive och Pen Drive
2. Skillnad mellan Flash-lagring och hårddisk
3. Skillnad mellan Flash Drive och Thumb Drive
